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3GBJ三相插件橋封裝新品
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新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 單相整流電路進(jìn)行整流,也就是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,但僅使用變壓器次級線圈的單相進(jìn)行轉(zhuǎn)換,二極管連接到單向變壓器的次級繞組。這種電路的缺點(diǎn)就是紋波系數(shù)高。
三相橋式整流電路由6個(gè)二極管組成,共陰極組在正半周期導(dǎo)電,共陽極組在負(fù)半周期導(dǎo)電,正負(fù)半周期都有電流流過變壓器,因此變壓器使用率提高。三相整流橋式電路有輸出電壓高且脈動(dòng)小,網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)高以及動(dòng)態(tài)響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),是家用電器、工業(yè)電源、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備、電焊機(jī)等應(yīng)用的優(yōu)良選擇。
我司充分調(diào)研市場需求,3GBJ在工業(yè)領(lǐng)域需求量較多,拓寬工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用范圍,也符合公司整體戰(zhàn)略規(guī)劃,為此開發(fā)3GBJ三相插件橋系列產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、3GBJ三相橋封裝外型類似我司6KBJ,外置5只引腳,本體更大,有更好的散熱性能,內(nèi)置6顆芯片,電流檔包含15A、25A、35A、50A,電壓覆蓋600V-1600V,具有正向壓降低、反向漏電流小、浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)
2、揚(yáng)杰深度IDM模式,自有晶圓設(shè)計(jì)及制造工廠,內(nèi)部封裝Photo Glass工藝芯片,三層鈍化保護(hù),穩(wěn)定的高溫特性以及信賴性能力;可以配合客戶開發(fā)特定應(yīng)用場景的指定產(chǎn)品,做到快速開發(fā),及時(shí)交付。
規(guī)格書

DG15NA60 THRU DG15NA120 DG25NA60 THRU DG25NA120 DG35NA60 THRU DG35NA120 DG50NA60 THRU DG50NA120

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